| 摘要 |
Un dispositif à couplage de charge (CCD) (30) du type biphasé est décrit. Le CCD (30) comprend deux niveaux de polysilicium qui sont connectés électriquement pour former une phase d'horloge. Dans le but d'obtenir un CCD ayant un rendement de transfert amélioré, deux régions implantées (48-51) de niveaux de dopage différents sont prévues sous chaque niveau de polysilicium. Lorsque le CCD est synchronisé, un profil de potentiel à quatre étages est obtenu. |
