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发明名称 VERTICAL TYPE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH02273972(A) 申请公布日期 1990.11.08
申请号 JP19890094322 申请日期 1989.04.15
申请人 MATSUSHITA ELECTRON CORP 发明人 KASHIWABARA AKIHIRO;KAWASHIMA ISAMU
分类号 H01L29/06;H01L29/78 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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