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发明名称 VERFAHREN ZUM SELEKTIVEN TROCKENAETZEN VON SCHICHTEN AUS III-V-HALBLEITERMATERIALIEN UND NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTER TRANSISTOR.
摘要
申请公布号 DE3765302(D1) 申请公布日期 1990.11.08
申请号 DE19873765302 申请日期 1987.04.22
申请人 THOMSON-CSF, PUTEAUX, FR 发明人 VATUS, JEAN;CHEVRIER, JEAN, F-75008 PARIS, FR
分类号 H01L21/306;H01L29/47;(IPC1-7):H01L21/306;H01L21/28 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
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