Es wird ein einfaches Verfahren zur Variation der Breite einer Photoresiststruktur vorgeschlagen, bei dem in bekannter Weise hergestellte Photoresiststrukturen mit einem eine Aufweitungskomponente enthaltenden Agens behandelt werden, welches mit funktionellen Gruppen der Photoresiststruktur eine chemische Verknüpfung eingeht und so einen Volumenzuwachs der Photoresiststruktur bedingt. Die Aufweitungsbehandlung wird vorzugsweise mit einer Lösung bei Raumtemperatur durchgeführt, wobei das Ausmaß des Volumenzuwachses der Photoresiststrukturen durch Variation verschiedener Parameter steuerbar ist.
申请公布号
EP0395917(A2)
申请公布日期
1990.11.07
申请号
EP19900106853
申请日期
1990.04.10
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
SEBALD, MICHAEL, DR. RER. NAT.;LEUSCHNER, RAINER, DR. RER. NAT.;SEZI, RECAI, DR.-ING.;BIRKLE, SIEGFRIED, DR. RER. NAT.;AHNE, HELLMUT, DR.