| 摘要 |
L'invention concerne un procédé pour former un film de semiconducteur polycristallin de haute qualité sur un substrat isolant.Il consiste à utiliser un appareil CVD par plasma hyperfréquence comprenant une chambre 701 de génération de plasma munie d'un moyen 703 d'introduction de micro-ondes, et une chambre 702 de formation de film reliée par une électrode de grille à la chambre de génération de plasma. Un plasma 707 est produit par mise en contact d'un gaz de matière brute de formation de film avec l'énergie de micro-ondes et ce plasma est introduit dans la chambre de formation de film en même temps qu'une tension à haute fréquence est appliquée entre l'électrode de grille et le substrat isolant 713.Domaine d'application : production de films en semiconducteur polycristallin, notamment pour transistors à couches minces, etc. |
