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发明名称 氮化铝烧结体
摘要 在氮化铝粉末里添加微量之过渡金属元素以及／或其化合物烧成高导热性的色氮化铝烧结体，用来制作电路基片以及半导体插件。1988年5月16日在日本申请专利第63-116843号
申请公布号 TW145026 申请公布日期 1990.11.01
申请号 TW078103711 申请日期 1989.05.15
申请人 住友电气工业股份有限公司 发明人 三宅雅也;山川晃;曾我部浩一;上仁之
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项
地址 日本
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