发明名称 霍耳效应察觉装置
摘要 本创作之霍耳效应装置为,在于磁路内配置输出可以适应于磁通变化之信号之霍耳IC之同时,前述磁路之一部分设置,容许对于该磁路之磁通供给变化之磁通变化配件之移动之间隙部之装置中,具备:一侧设置形成前述间隙部之凹部,另一侧在相邻于前述凹部之处设置收容前述霍耳IC及磁路形成配件之收容部之框( frame)配件之方式构成者。
申请公布号 TW145288 申请公布日期 1990.11.01
申请号 TW079206820 申请日期 1989.11.18
申请人 三菱电机股份有限公司 发明人 村田滋身
分类号 F02P1/00 主分类号 F02P1/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 一种霍耳效应察觉装置,在于磁路内配置输出对应于磁通变化之信号之霍耳IC之同时,在前述磁路之一部分设置容许对于该磁路之磁通供给变化之磁通变化配件之移动之间隙部之装置中,具备:一侧设置形成前述间隙部之凹部,另一侧在相邻于前述凹部之位置设置收容前述霍耳IC及磁路形成配件为特征者。图示简单说明:第1图为表示本创作之一实施例之霍耳效应察觉装置之平面图,第2图为第1图之Ⅱ-Ⅱ线之侧视剖面图,第3图为表示本创作之其他实施例之侧视剖面图。
地址 日本