具有正反器之半导体记忆装置

摘要

本发明乃有关半导体记忆装置者，尤其是关于高积体、超低电力消费，而且对软误差耐性极高之静态型随机接达记忆装置及其制法方法者。本发明之目的乃在提供：可解决记忆格之内储节部之Ｐ－Ｎ接合之面积减低之障碍，及记忆格动作之安定性劣化等以往技术上之问题，而含有所需面积极小，且对软误差耐性极高并进行安定之记忆格动作为可能之静态型随机接达记忆格之半导体记忆装置者。本发明之特征乃在使用绝缘闸型场效应电晶体__包括具有正反器电路之静态型随机接达记忆格群之半导体记忆装置中；采取在基板上具有第１导电型之转移用绝缘闸型场效应电晶体，及驱动用绝缘闸型场效应电晶体各两个；而至少在上述绝缘闸型场效应电晶体之任何一方之上部，形成含有通过区域由多晶硅膜所成，且位于较闸电极为上部之第２导电型之第３绝缘闸型场效应电晶体之互补型之正反器电路；并减低上述驱动用绝缘闸型电晶体及转移用绝缘闸型场效应电晶体之电流驱动能力之比，使上述驱动用绝缘闸型场效应电晶体之闸电极及转移用绝缘闸型场效应电晶体之闸电极配置成接近且平行，将上录第３绝缘闸型场效应电晶体之闸电极自行整合地绝缘成对上述驱动用及转移用绝缘闸型场效应电晶体之闸电极或容量元件之板电极或接地配线，即使发生连接孔之掩模对准之位移亦不致短路之状态，并连接于上述正反器电路之内储节，且由上述第３绝缘闸型场效应电晶体之闸电极来进行上述正反器电路之交叉连接之配线等之构成者。