| 摘要 |
Un circuit logique à effet de champ (FET) entièrement parallèle de grande vitesse, haute densité, et à faible dissipation de puissance, comprend un étage excitateur (11) muni d'une pluralité de FETs d'un premier type de conductivité (N) pour recevoir des signaux d'entrée de logique, et d'un FET de charge (13) d'un deuxième type de conductivité (P) connectés à la sortie commune dudit étage excitateur. Un onduleur FET complémentaire (74) comprenant des FETs du premier type et du deuxième type de conductivité connectés en série est connecté à la sortie commune (16) et au FET de charge (13). Selon l'invention, on oriente la fonction de transfert de tension de l'onduleur complémentaire (14) de manière que le produit de la mobilité des porteurs et le rapport entre la largeur du canal et la longueur de l'onduleur FET (146) du premier type de conductivité (P). Ladite orientation de la fonction de transfert de tension de l'onduleur complémentaire (14) permet de réduire sensiblement l'intervalle de déclenchement de la tension, ainsi améliorant la vitesse de celle-ci. On peut prévoir des circuits ET et descircuits OU, ainsi que des circuits combinés ET-OU, ayant une sortie vraie et complémentaire. Un transistor de charge à portes multiples en série sert à réaliser une réduction accrue de la puissance absorbée. |
