| 摘要 |
Sur un substrat semi-conducteur (101) est formée une couche épitaxiale (102) du type conducteur opposé à celui du substrat. Dans la couche épitaxiale (102) est formée une couche de diffusion d'impureté (103) du même type conducteur que celui du substrat, qui est si profonde qu'elle atteint le substrat semi-conducteur. Des éléments CMOS et des éléments fonctionnels sont formés sur la couche profonde de diffusion d'impureté et sur des couches épitaxiales (110, 111) circonvoisines. D'autre part, dans d'autres couches épitaxiales qui sont électriquement isolées, sont formées des couches de diffusion d'impureté (106, 108) qui n'atteignent pas le substrat semi-conducteur et sur lesquelles sont formés des éléments CMOS et des élément fonctionnels. On empêche ainsi la réalisation d'une écriture défectueuse de la mémoire morte programmée électriquement formée sur le même substrat semi-conducteur, ainsi que la dégradation des caractéristiques par la commande par impulsions inverses des circuits analogiques. |
