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Procédés de fabrication de lignes métalliques d'interconnexion dans un circuit intégré. En général, un procédé comporte la déposition d'une couche métallique sur une couche d'oxyde inter-diélectrique. La couche métallique est dessinée et gravée afin de former des lignes d'interconnexion métalliques par dessus la couche d'oxyde. Du tungstène est déposé sélectivement sur la couche gravée afin de compléter les lignes d'interconnexion métalliques. En outre, selon un deuxième procédé, une couche de tungstène peut être déposée avant la couche métallique entièrement enrobée de tungstène. En outre, du tungstène sélectif est employé à réparer des lignes métalliques cassées dans un circuit intégré préfabriqué. Le tungstène sélectif est déposé au moyen d'un procédé de dépôt à vapeur chimique et est déposé sur des lignes métalliques du deuxième niveau (au plus haut) qui sont masquées et gravées et qui sont formées dans le circuit intégré. Le procédé de dépôt sélectif de tungstène comporte l'exposition des lignes d'interconnexion métalliques à un mélange de SiH4 à un taux d'entre 3-10 centimètres cubes normaux par minute, de WF6 à un taux d'entre 3-25 centimètres cubes normaux par minute, et d'H2 à un taux d'entre 25-100 centimètres cubes normaux par minute. Ensuite les lignes d'interconnexion métalliques exposées sont traitées à une pression d'entre 50-200 mTorr, à une température d'entre 250-300 degrés Celsius, et un taux de dépôt d'entre 2000-10000 Angstroms par minute afin de former les lignes métalliques entièrement interconnectées. Le présent procédé améliore les rendements de circuits intégrés métalliques à plusieurs niveaux et maximise l'usage des grilles. Le dépôt de tungstène sélectif augmente les rendements de circuits intégrés, et le recouvrement de lignes métalliques en aluminium par de tungstène, par exemple, permet une interconnexion plus résistante à l'électromigration. |
