| 摘要 |
Une résistance non linéaire en tension comprend essentiellement de fines particules semi-conductrices inorganiques, et au moins un des oxydes des éléments métalliques des groupes IIIA, IIIB, IVA, IVB, VA, VIIB et VIII du tableau périodique, et renferme une couche de film isolant inorganique qui recouvre les surfaces des fines particules semi-conductrices. Ces dernières servent de produit de départ pour le semi-conducteur inorganique, et sont soumises au moins une fois à une étape de cuisson à une température supérieure à 1000°C, suivie d'au moins une étape de pulvérisation. Les fines particules de semi-conducteur sont mélangées avec un composé de départ qui contient au moins l'un desdits éléments métalliques et forme des oxydes inorganiques de ceux-ci, et le mélange est cuit à une température supérieure à 1000°C, de sorte qu'une couche de film isolant constituée essentiellement d'au moins un oxyde inorganique dudit élément métallique est formée sur les surfaces des fines particules de semi-conducteur. |
