| 发明名称 |
SILICON SINGLE CRYSTAL EXCELLENT IN WITHSTAND VOLTAGE CHARACTERISTIC OF OXIDE FILM AND PRODUCTION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH02267195(A) |
申请公布日期 |
1990.10.31 |
| 申请号 |
JP19890086505 |
申请日期 |
1989.04.05 |
| 申请人 |
NIPPON STEEL CORP;NITTETSU DENSHI KK |
发明人 |
TACHIMORI OJI;SAKON TADASHI;KANEKO TAKAYUKI |
| 分类号 |
C30B33/00;C30B29/06;H01L21/208;(IPC1-7):C30B29/06 |
主分类号 |
C30B33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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