| 主权项 |
1.一种含有铟-锑复合物的结晶和单独铟结晶的铟-锑错合结晶半导体中,铟的总含量和锑含量之原子比是在1.1/1至1.7/1之范围内。2.请求专利部份第1.项之铟-锑错合结晶半导体,是成薄膜的形态。3.一种含有铟-锑复合物的结晶和单独铟结晶的铟-锑错合结晶半导体之制造方法,是控制铟和锑的到达速率比于1.1/1至1.7/1的范围将铟和锑的蒸汽真空淀积于基底。4.请求专利部份第3.项之方法中,在真空淀积的初阶段的基底温度是保持低于公式的极限温度1/TL=9.98x -5.66x logPTL是基底的极限温度,以绝对温度(。K)表示,P是真空淀积系统的压力(以Torr表示)。5.请求专利部份第4.项之方法中,在真空淀积的最初阶段保持铟和锑的到达速率比为1.0/1或更小,同时,基底温度T保持得可满足下列的关系Tc≦T≦ Tc+30Tc是基底的临界温度,以绝对温度(K)表示,是得自公式l/Tc=1.29 -3.84logPP是真空淀积系统中之压力(以Torr表示)。6.请求专利部份第3.项之方法中,真空淀积是在氮气之存在下进行。7.请求专利部份第1.或2.项之铟-锑错合结晶半导体中,铟的总含量和锑含量之比是在1.2/1至1.6/1之范围。8.请求专利部份第3.4.5.或6.项之方法中,真空淀积是在控制铟-锑的到达速率比为1.2/1至1.6/1之范围内而进行。 |
