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经营范围
发明名称
MOS TRANSISTOR
摘要
申请公布号
JPH02265276(A)
申请公布日期
1990.10.30
申请号
JP19890085689
申请日期
1989.04.06
申请人
MATSUSHITA ELECTRON CORP
发明人
OISHI HIROSHI;MAYUMI SHUICHI
分类号
H01L21/336;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
主权项
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