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发明名称 DRIVING CIRCUIT FOR INSULATED GATE TYPE BIPOLAR TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPH02264516(A) 申请公布日期 1990.10.29
申请号 JP19890085256 申请日期 1989.04.04
申请人 FUJI ELECTRIC CO LTD 发明人 NISHIURA EI
分类号 H01L29/68;H01L29/739;H01L29/78;H03K17/56;(IPC1-7):H03K17/56;H01L29/784 主分类号 H01L29/68
代理机构 代理人
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