Static memory.

摘要

Die Erfindung betrifft einen statischen Speicher mit mehreren Hierarchieebenen (H0...H3). Hierfür werden günstige Realisierungsmöglichkeiten angegeben, da der Flächenaufwand für die Ansteuer- und Ausleseschaltungen in der zweiten Hierarchieebene (H1) besonders kritisch sind. Vorteilhaft werden hierbei Speicherzellen eingesetzt, die ein starkes Zellsignal liefern, so daß ein geringer Aufwand in der Leseschaltung nötig ist. Durch Verlagerung von Peripherieschaltungen in höherer Hierarchieebenen ergibt sich eine verringerte Zugriffszeit und ein verringerter Flächenbedarf. <IMAGE>