| 发明名称 |
PLASMA-NITRIDATED SELF-ALIGNED TUNGSTEN SYSTEM FOR VLSI INTERCONNECTIONS. |
| 摘要 |
Un procédé pour former une barrière de diffusion sur des contacts de silicium et de polysilicium nus (13, 15, 21) d'un circuit intégré (10) consiste à déposer en phase vapeur par voie chimique une couche de tungstène (25) sur les régions de contacts nus (13, 15, 21), avec un alignement automatique. Cette couche de tungstène est nitrurée au plasma afin de former une couche de nitrure de tungstène (25a) et de former partiellement une couche de siliciure de tungstène (25b) adjacente aux régions de contact. La formation de la couche de siliciure de tungstène (25b) est achevée par recuit thermique. |
| 申请公布号 |
EP0393162(A1) |
申请公布日期 |
1990.10.24 |
| 申请号 |
EP19890907397 |
申请日期 |
1989.03.17 |
| 申请人 |
HUGHES AIRCRAFT COMPANY |
发明人 |
CHOW, YU, CHANG;LIAO, KUAN-YANG;CHIN, MAW-RONG |
| 分类号 |
H01L21/285;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/336;H01L23/52 |
主分类号 |
H01L21/285 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
