首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 A PROCESS FOR THE GROWTH OF III-V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF A SI SUBSTRATE
摘要
申请公布号 EP0297867(A3) 申请公布日期 1990.10.17
申请号 EP19880305944 申请日期 1988.06.30
申请人 NEC CORPORATION 发明人 MATSUMOTO, TAKASHI
分类号 C30B25/02;(IPC1-7):C30B25/02;C30B29/40 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com