中子嬗变掺杂直拉硅的退火工艺

摘要

一种中子■变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：将自然直拉硅单晶进行中子■变掺杂，清洗处理后，送入经过清洗处理的高温扩散炉内进行热退火，该工艺可与器件制造中的热工序结合，因此可以大大节省工时和能耗。经过此工艺处理的硅单晶可得到真实的少子寿命和准确的目标电阻率。用此硅片制备电子元器件，成品率和电参数均可大大提高。因此，可广泛用于中子■变掺杂直拉硅的热处理。

主权项

1.一种中子■变掺杂直拉硅的退火工艺，其工序是：①用氧和含氯气氛清洗扩散炉石英管和所用器皿，②将经中子■变掺杂后的直拉硅单晶清洗处理后，送入氧和含氯气氛保护下的高温扩散炉内，恒温1-2小时；③随炉缓后，从炉内取出，其特征是：清洗扩散炉石英管及其器皿所用的氧和含氯气氛的通入方法是用盐酸鼓泡法将高纯氧通入扩散炉内，高温恒温过程中保护气氛的通入方法是先用盐酸鼓泡法将高纯氧通入扩散炉内15分钟，然后单独通入高纯氧，氧的流量为30-40亳升/分。