| 发明名称 |
Semiconductor memory device having a back-bias voltage generator |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4964082(A) |
申请公布日期 |
1990.10.16 |
| 申请号 |
US19880249660 |
申请日期 |
1988.09.27 |
| 申请人 |
HITACHI, LTD. |
发明人 |
SATO, KATSUYUKI;YANAGISAWA, KAZUMASA |
| 分类号 |
G11C11/407;G11C5/14;G11C11/4074 |
主分类号 |
G11C11/407 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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