METHOD OF FORMING HOLES IN CERAMIC IC PACKAGES.

摘要

On a mis au point un procédé de formation de trous dans les couches céramiques non cuites de boîtiers de circuits intégrés (fig. 1, 2, 3). On forme des trous de passages (12, fig 1) dans une couche plane mince de céramique non cuite (10, fig 1), composée essentiellement d'un mélange de poudre non métallique inorganique ayant une température de fusion élevée ainsi que d'un liant ayant une température de vaporisation plus basse, dans les étapes consistant à orienter un faisceau laser (22a, fig 2), dans une séquence, à certains emplacements sur la couche (30a, fig 2) où les trous de passages sont à former, à commander la densité de puissance dans le faisceau laser orienté à un niveau bas auquel le liant s'évapore au niveau de chacun des emplacements tandis que la poudre reste non frittée et non fusionnée (fig 3), et à éliminer (25 et 26, fig 2) du faisceau laser orienté au cours des phases précitées, à la fois le liant évaporé et la poudre non liée demeurant là où le liant s'évapore. De préférence, la température d'évaporation du liant et la température de fusion de la poudre sont choisies de sorte qu'elles diffèrent d'au moins 200 °C. La densité de puissance du laser est commandée pour se situer entre 5kW/cm2 et 75kW/cm2. On procède à l'étape d'élimination par projection d'un jet de gaz à chaque emplacement où le rayon laser est dirigé et par mise sous vide simultanée dudit emplacement.