| 发明名称 |
Method for manufacturing a field effect transistor using spacers of different thicknesses |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US4962054(A) |
申请公布日期 |
1990.10.09 |
| 申请号 |
US19890328880 |
申请日期 |
1989.03.27 |
| 申请人 |
SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. |
发明人 |
SHIKATA, SHIN-ICHI |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/027;H01L21/31;H01L21/318;H01L21/338 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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