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Procédé d'introduction d'impuretés dans du silicium polycristallin formé sur un film isolant. On dépose une couche de verre au silicate contenant de l'As (13) sur une couche de silicium polycristallin (12) formée sur un film isolant (2), cette étape étant suivie d'un traitement thermique, afin d'introduire l'arsenic dans la couche de silicium polycristallin (12). La couche de verre au silicate (13) présente une teneur en arsenic supérieure à 25 % en poids par rapport à As2O3, et le traitement thermique est effectué dans une atmosphère composée d'un mélange gazeux de N2 et d'O2 sous un rapport de pression partielle d'oxygène compris entre 0,05 et 0,7 à une température égale ou supérieure à 1000 °C pendant une durée égale ou supérieure à 60 minutes. |
