Method and device for the microwave-plasma etching.

摘要

Die Erfindung betrifft Verfahren und Vorrichtungen zur Mikrowellen-Plasmabearbeitung, insbesondere zum Plasmaätzen von Substratoberflächen. In einer Plasmabildungskammer (1) wird unter Benutzung eines elektrischen, durch Mikrowellen erzeugten Feldes und eines durch ein senkrecht zum elektrischen Feld gerichtetes Magnetfeld erzeugten Elektron/Zyklotron-Resonanzeffektes aus einem Arbeitsgas ein Plasmastrom hergestellt. Um ein Bearbeitungs- bzw. Ätzmuster zu erhalten, das im wesentlichen senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist, erfolgt die Bearbeitung der Substratoberfläche dadurch, daß diese einer Strahlung des Plasmastroms ausgesetzt und während der Bearbeitung im Elektron/Zyklotron-Resonanzpunkt oder an einer von diesem Punkt entfernten Stelle angeordnet wird, an der die Magnetfeldstärke höchstens um ± 3 % von der Magnetfeldstärke am Resonanzpunkt abweicht.