Ein Emitter des Thyristors ist in eine Vielzahl von Emittergebieten (2 bis 5) aufgeteilt. Diese werden in einer Hauptfläche (1a) des Thyristors von ersten Elektroden (10 bis 13) kontaktiert, die über individuell zugeordnete Widerstandselemente (Rv) mit einem Hauptanschluß (K) des Thyristors verbunden sind. Neben den Emittergebieten sind weitere Elektroden (14 bis 17) vorgesehen, über die jeweils parallele Abschaltstrompfade (18 bis 21) von der an die Emittergebiete angrenzenden Basis (6) über Feldeffekttransistoren (T1 bis T4) zu dem genannten Hauptanschluß (K) hin verlaufen. Durch die Widerstandselemente (Rv) wird sichergestellt, daß sich die auf die einzelnen Emittergebiete (2 bis 5) entfallenden Laststromanteile sämtlich zuverlässig abschalten lassen.
申请公布号
EP0389862(A2)
申请公布日期
1990.10.03
申请号
EP19900104736
申请日期
1990.03.13
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
OPPERMANN, KLAUS-GUENTER, DIPL.-PHYS.;SCHWARZBAUER, HERBERT, DR.;STENGL, REINHARD, DR. DIPL.-PHYS.