Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices.

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Stabilisieren von alkalischen, Wasserstoffperoxid (H2O2) enthaltenden Reinigungsbädern für Si-Scheiben, insbesondere für Halbleiterbauelemente, bei dem auf einfache Weise sichergestellt wird, daß die H2O2-Konzentration des Bades auf Werte absinkt, bei denen die Si-Scheiben angeätzt werden. Dies wird dadurch erreicht, daß in dem Bad das Potential einer Si-Scheibe gegenüber einer Bezugselektrode (Kalomelelektrode) gemessen und die H2O2-Konzentration im Bad wieder erhöht wird, wenn sich das Potential stark zu negativeren Werten verschiebt.