| 发明名称 |
PHOTORESIST PROCESS FOR REACTIVE ION ETCHING OF METAL PATTERNS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP0257255(A3) |
申请公布日期 |
1990.09.26 |
| 申请号 |
EP19870109796 |
申请日期 |
1987.07.07 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
PROTSCHKA, HANS ADOLF |
| 分类号 |
H01L21/302;G03F7/00;G03F7/09;G03F7/11;G03F7/26;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/30;H01L21/3065;H01L21/312;H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
