Monolithic integrable transistor circuit for limitating a negative overvoltage.

摘要

Es wird eine monolithisch integrierte Transistorschaltung zum Schutz eines elektrischen Schalters gegen vorübergehende negative Hochspannungen beschrieben, wobei der Emitteranschluß eines NPN-Transistors an den zu schützenden Leiter angeschlossen ist, wobei der Kollektoranschluß dieses NPN-Transistors an das positive Versorgungspotential geschaltet ist und wobei der Basisanschluß dieses NPN-Transistors mit dem Anodenanschluß einer Substratdiode verbunden ist, deren Kathodenanschluß auf Bezugspotential liegt.