发明名称 | 硅平面低温度系数稳压管 | ||
摘要 | 一种硅平面低温度系数稳压管,克服了现有的稳压管稳压值低、功率小、适用温度范围不够广的缺点,特征在于,在管座上分别粘接至少二个芯片,其中一个芯片上制作有稳压结,其它芯片上各制作有与稳压结的温度系数相匹配的补偿结,所说的稳压结与补偿结依次串接在一起,可满足航空、航天及处于环境温度急剧变化、特别是负温条件下设备工作的需要。 | ||
申请公布号 | CN2062499U | 申请公布日期 | 1990.09.19 |
申请号 | CN89218961.4 | 申请日期 | 1989.11.04 |
申请人 | 锦州市半导体二厂 | 发明人 | 祝春涛;何书琴;单志刚 |
分类号 | H01L23/58 | 主分类号 | H01L23/58 |
代理机构 | 锦州市专利事务所 | 代理人 | 王胜利 |
主权项 | 1、一种硅平面低温度系数稳压管,包括用来起支架和引出电极作用的管座,起密封作用的管帽和粘接在管座上的芯片,其特征在于,在管座1上粘接制作有稳压结5的芯片和粘接制作有与稳压结5的温度系数相匹配的补偿结6的芯片,所说的稳压结5的发射极通过引线与正管脚7相连,稳压结5与补偿结6通过引线相互串接在一起,其连接方式为稳压结5为反向P-N结、补偿结6为正向P-N结,且补偿结6的发射极通过引线与负管脚8相连。 | ||
地址 | 辽宁省锦州市凌河区杏花里矿山街23号 |