Die Durchbruchsfestigkeit wird dadurch erhöht, daß der Durchbruchstrom über den stark dotierten Teil (9) der Gatezone direkt in den Sourcekontakt (10) abfließt und nicht lateral unter der Sourcezone (3). Dies erreicht man, indem der starkdotierte Teil (9) mindestens am Boden (20) eines Kontaktlochs (8) angeordnet ist und ein vertikales Profil mit sehr geringem Krümmungsradius (r1) hat.
