| 摘要 |
<p>Prezenta inventie se refera la un procedeu de micsorare prin iradiere cu electroni, radiatii gama si de frînare, neutroni, a timpilor de comutatiei a dispozitivelor electronice semiconductoare pe baza de siliciu, la care iradierea cu electroni s-a facut în gama de doze de 10 la puterea 4....5.10 la a 8 rad., de preferinta o rata a dozei de 2,5.10 la a 8 rad/h, iar pentru iradierile cu radiatii de frînare o rata de 5.10 la puterea 5 rad/h, suportul probelor fiind racit, temperatura apei de racire nedepasind 15 degree C, iar în cazul temperaturilor joase utilizîndu-se iradieri succesive si reveniri termice între temperaturile cuprinse între 150 si 250 degree C.</p> |
