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经营范围
发明名称
Process for forming isolation trenches in silicon semiconductor bodies
摘要
申请公布号
US4957873(A)
申请公布日期
1990.09.18
申请号
US19890411196
申请日期
1989.09.21
申请人
STC PLC
发明人
OJHA, SURESHCHANDRA M.;ROSSER, PAUL J.;MOYNAGH, PHILIP B.
分类号
H01L21/316;H01L21/762
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
主权项
地址
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