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<P>Un dispositif photodétecteur du type recevant la lumière par la face arrière comprend des couches d'absorption de lumière 4 formées aux intervalles nécessaires sur un substrat semi-isolant 1, une couche semi-isolante 6 recouvrant les couches d'absorption de lumière, une couche de semiconducteur d'un premier type de conductivité 2 sur la couche semi-isolante, et des parties de semiconducteur d'un second type de conductivité 3 formées dans des parties désirées de la couche de semiconducteur du premier type de conductivité, entre les couches d'absorption de lumière, de façon à atteindre la couche semi-isolante 6, à partir de la surface de la couche de semiconducteur du premier type de conductivité.</P>
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