| 主权项 |
1﹒一种真空断路器,其特征在于包括:至少 一对配置在真空槽(3)内的固定电极( 6)及活动电极(7);自该对电极延伸 至该真空槽外侧之固定棒(8)及活动棒(9);一电磁推 斥线圈(17),用以 产生与发生在该对电极间的一电弧平行的 一平行磁通;一短路环(16),由该活 动棒支撑着,且当该平行磁通透过时,藉 一流经的涡电流产生一磁通;其中该电磁 推斥线圈与短路环被配置在该槽之一外周 围,使得当该平行磁通与该磁通互撞时, 藉电磁推斥力的发生,使该活动棒朝离开 固定棒之方向移动,且该平行磁通不断地 被作用在该电弧上。 2﹒如申请专利范围第1项之真空断路器,其 特征为上述耦接在活动棒(9)及电磁推 斥线圈(17)上之短路环(16)被安 置在上述真空棒(3)之外周边上,而上 述电磁推斥线圈被连接在DC电源(21 )上。 3﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述被耦接在上述活动槽(9)及上 述电磁推斥线圈(17)上之短路环(1 6)被安置在上述真空槽之外周边上,而 上述电磁推斥线圈经由一绝缘器(12) 而由一框架(2)支撑。 4﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述真空断路器具有被分别耦接在上 述活动棒(9)及电磁推斥线圈(17) 上且被置于真空槽(3)之外围的短路环(16),此真空 路器被安置在一配电盘 中使用。 5﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述具有被分别耦接在上述活动棒( ─9)及电磁推斥线圈(17)上并被置 于真空槽(3)之外周边之短路环(16 )的真空断路器是使用于DC断电路器。 6﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述被耦接在活动棒(9)及电磁推 斥线圈(17)上之短环(16)被置于 上述真空槽(3)之外周边上。 7﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述被耦接在上述活动棒(9)及上 述电磁推斥线圈(17)上之短路环(1 6)是被安置在真空槽(3)之外周边上 ,而上述电磁推斥线圈被连接在一DC电 源(21)上,其中有一电路容器(26 )及一开关(25)被置于上述DC电源 及上述电磁推斥线圈之间,而当有一异常 电流流过上述活动棒时,上述开关被闭合 以使上述电容器之放电电流流过上述电磁 推斥线圈。 8﹒如申请专利范围第1项之真空断路,其特 征为上述被耦接在上述活动棒(9)及上 述电磁推线圈(17)上之短路环(16 )是被安置在真空槽(3)之外周边,而 其中有一整流器(24)和一开关(23 )被分别耦接在上述电磁推斥线圈的两端 上,并且该整流器及开关分别地连接在一 变压器(22)之二次绕组的一端上以及 其二次绕组之分接头上。图示简单说明 图1是一代表本创作之实例的真空断路器 之侧视图。 图2是图1之真空断路器中所使用的电磁 推斥线圈及短环。 图3是图1之真空断路器中所产生的各磁 通之特性图。 |
