| 主权项 |
1.一种半导体装置,系具有: 树脂封装体;位于上述树脂封装体内部,表背面之 中之表面形成有多数外部端子的2个半导体晶片; 及延伸于上述树脂封装体内外之引线;上述2个半 导体晶片之各个,系以各个背面呈对向状态积层, 上述引线系于上述树脂封装体内部分支为2,上述 一方之分支引线,系固定于上述一方之半导体晶片 表面,而且介由导线电连接于该表面之外部端子, 上述另一方之分支引线,系固定于上述另一方之半 导体晶片表面,而且介由导线电连接于该表面之外 部端子; 上述一方之分支引线系由:横切上述一方之半导体 晶片表面之一边而延伸于上述一方之半导体晶片 表面上,上述导线所连接之第1部分;及由上述第1部 分起朝上述一方之半导体晶片背面侧折曲的第2部 分;及由上述第2部分起朝上述一方之半导体晶片 外侧折曲的第3部分构成; 上述另一方之分支引线系由:横切上述另一方之半 导体晶片表面之一边而延伸于上述另一方之半导 体晶片表面上,上述导线所连接之第1部分;及由上 述第1部分起朝上述另一方之半导体晶片背面侧折 曲的第2部分;及由上述第2部分起折曲成与上述一 方之分支引线之第3部分重叠的第3部分构成; 上述一方之分支引线之第3部分,系与由上述树脂 封装体导出于其外部之外部引线成一体化; 上述另一方之分支引线之第3部分,系于上述树脂 封装体内部接合于上述一方之分支引线之第3部分 。2.一种半导体装置,系具有: 树脂封装体;位于上述树脂封装体内部,表背面之 中之表面形成有外部端子的2个半导体晶片;及延 伸于上述树脂封装体内外之引线;上述2个半导体 晶片之各个,系以各个背面呈对向状态积层,上述 引线系于上述树脂封装体内部分支为2,上述一方 之分支引线,系固定于上述一方之半导体晶片表面 ,而且介由导线电连接于该表面之外部端子,上述 另一方之分支引线,系固定于上述另一方之半导体 晶片表面,而且介由导线电连接于该表面之外部端 子; 上述一方之分支引线系由:横切上述一方之半导体 晶片表面之一边而延伸于上述一方之半导体晶片 表面上,上述导线所连接之第1部分;及由上述第1部 分起朝上述一方之半导体晶片背面侧折曲的第2部 分;及由上述第2部分起朝上述一方之半导体晶片 外侧折曲的第3部分构成: 上述另一方之分支引线系由:横切上述另一方之半 导体晶片表面之一边而延伸于上述另一方之半导 体晶片表面上,上述导线所连接之第1部分;及由上 述第1部分起朝上述另一方之半导体晶片背面侧折 曲的第2部分;及由上述第2部分起折曲成与上述一 方之分支引线之第3部分重叠的第3部分构成; 上述一方之分支引线之第3部分,系与由上述树脂 封装体导出于其外部之外部引线成一体化; 上述另一方之分支引线之第3部分,其前端部系接 合于上述外部引线之基部。3.如申请专利范围第1 或2项之半导体装置,其中 上述外部引线,与其基部相连之引线部分系被折曲 向上述另一方之分支引线侧。4.如申请专利范围 第1项之半导体装置,其中 上述一方之分支引线之第上部分,系介由绝缘性薄 膜或绝缘性接着剂接着固定于上述一方之半导体 晶片表面,上述另一方之分支引线之第1部分,系介 由绝缘性薄膜或绝缘性接着剂接着固定于上述另 一方之半导体晶片表面。5.如申请专利范围第1项 之半导体装置,其中 上述一方之半导体晶片之外部端子系形成于其表 面之中央部,上述一方之分支引线之第1部分,其前 端部系配置于上述一方之半导体晶片之外部端子 之近傍,上述另一方之半导体晶片之外部端子系形 成于其表面之中央部,上述另一方之分支引线之第 1部分,其前端部系配置于上述另一方之半导体晶 片之外部端子之近傍。6.一种半导体装置,系具有: 树脂封装体;位于上树脂封装体内部,表背面之中 之表面形成有多数外部端子的2个半导体晶片;及 延伸于上述树脂封装体内外之第1引线及第2引线; 上述2个半导体晶片之各个,系以各个背面呈对向 状态积层,上述第1引线,系电连接于上述2个半导体 晶片之各个外部端子,上述第2引线,系电连接于上 述2个半导体晶片之中之任一方半导体晶片之外部 端子的半导体装置; 上述第1引线,系于上述树脂封装体内部分为2, 上述一方之分支引线,系固定于上述2个半导体晶 片之中之一方之半导体晶片之表面,而且介由导线 电连接于该表面之外部端子; 上述另一方之分支引线,系固定于上述2个半导体 晶片之中之另一方半导体晶片表面,而且介由导线 电连接于该表面之外部端子; 上述第2引线,系于上述树脂封装体内部,固定于上 述2个半导体晶片之中之任一方之半导体晶片之表 面,而且介由导线电连接于该表面之外部端子。7. 如申请专利范围第6项之半导体装置,其中 上述一方之分支引线系介由绝缘性薄膜或绝缘性 接着剂接着固定于上述一方之半导体晶片之表面, 上述另一方之分支引线系介由绝缘性薄膜或绝缘 性接着剂接着固定于上述另一方之半导体晶片之 表面,上述第2引线系介由绝缘性薄膜或绝缘性接 着剂接着固定于上述2个半导体晶片之中任一方之 半导体晶片之表面。8.一种半导体装置之制造方 法,系具有以下制程: 令与第1引线框架之框体一体化之引线之内引线接 着固定于第1半导体晶片之表,背面中之表面,而且 令与第2引线框架之框体一体化之引线之内引线接 着固定于第2半导体晶片之表,背面中之表面的制 程; 令上述第1引线框架之引线之内引线及上述第1半 导体晶片表面所形成外部端子介由导线作电连接, 而且令第2引线框架之引线之内引线及上述第2半 导体晶片表面所形成外部端子介由导线作电连接 的制程;及 令上述第1半导体晶片,第2半导体晶片之各个背面 呈对向之状态,对上述第1半导体晶片,第2半导体晶 片,引线之内引线,及导线进行封装以形成树脂封 装体的工程。9.如申请专利范围第8项之半导体装 置之制造方法,其中形成上述树脂封装体之制程, 系令上述第1半导体晶片,第2半导体晶片之各背面 以互为接触之状态下进行。10.一种半导体装置之 制造方法,系具有以下工程: (a)准备各具多数引线之第1引线框架及第2引线框 架的工程; (b)于上述第1引线框架接着第1半导体晶片,且于第2 引线框架接着第2半导体晶片的工程; (c)上述第1及第2引线框架于其厚度方向重叠,而且 使上述第1及第2半导体晶片配置于树脂封装用金 属模之模穴内地将接着有上述第1及第2半导体晶 片的第1及第2引线框架配置于树脂封装用金属模 的工程; (d)将树脂材料注入上述树脂封装用金属模之模穴 内,俾形成树脂封装体将上述第1及第2半导体晶片, 及第1,第2引线框架之内部引线予以封装的工程; (e)上述工程(d)之后,使用雷射熔接上述第1引线框 架之外引线,及与其对应之上述第2引线框架之外 引线俾使其互相连接的工程。11.如申请专利范围 第10项之半导体装置之制造方法,其中 上述第1及第2半导体晶片,系分别具形成于主面之 多数半导体元件及多数接合电极(bonding pads); 上述工程(b)系包含,使用绝缘性接着剂将上述第1 引线框架之内引线接着于第1半导体晶片主面的工 程,及使用绝缘性接着剂将上述第2引线框架之内 引线接着于第2半导体晶片主面的工程。12.如申请 专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中 另具有使用凄台导线连接上述第1,第2引线框架之 内引线,与第1,第2半导体晶片之接台电极的工程。 13.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造方 法,其中 上述第2引线框架之外引线,系形成较与其对应之 第1引线框架之外引线短,而且在第1引线框架之外 引线中途具终端部(end portions); 上述工程(e)系包含,使用雷射熔接上述第1引线框 架之外引线,及与其对应之第2引线框架之外引线 终端部俾使其互相连接的工程。14.如申请专利范 围第11项之半导体装置之制造方法,其中 上述工程(c),系在上述第1及第2半导体晶片之背面 互为面对状态下进行。15.一种半导体装置,其特征 为具有: 各具主面及与上述主面面对之背面,上述背面互相 面对配置的第1半导体晶片及第2半导体晶片,于上 述主面形成有多数半导体元件及多数接合电极,具 上述主面具沿第1方向之一对长边及沿与上述第1 方向不同之第2方向的一对短边之第1半导体晶片 及第2半导体晶片; 封装上述第1及第2半导体晶片的树脂封装体; 各具位于上述树脂封装体内之内引线及突出树脂 封装体外之外引线的多数引线;及 电连接上述多数引线及多数接合电极的多数接合 导线; 上述多数引线之各个内引线,系分别具在上述树脂 封装体内分支的第1分支引线及第2分支引线; 上述第1分支引线,系横切第1半导体晶片长边之一 方,配置于第1半导体晶片主面上,上述第2分支引线 ,系横切第1半导体晶片之长边之一方,配置于第2半 导体晶片主面上; 上述第1分支引线,系介由第1绝缘性接着薄膜接着 于第1半导体晶片主面,上述第2分支引线则介由第2 绝缘性接着薄膜接着于第1半导体晶片主面; 上述第1绝缘性接着薄膜,系配置于第1半导体晶片 之长边之一方附近, 上述第2绝缘性接着薄膜,系配置于第2半导体晶片 之长边之一方附近。16.如申请专利范围第15项之 半导体装置,其中 上述第1及第2绝缘性薄膜分别包含有基材薄膜及 形成于上述基何薄膜两面的接着层。17.如申请专 利范围第15项之半导体装置,其中 上述第1绝缘性薄膜亦位于上述多数接合导线所连 接领域之上述第1分支引线之下部,上述第2绝缘性 薄膜亦位于上述多数接合导线所连接领域之上述 第2分支引线之下部。18.如申请专利范围第15项之 半导体装置,其中 上述第1绝缘性薄膜,于上述第2方向系分割,配置成 第1部分及第2部分,上述第1绝缘性薄膜之第1部分, 系配置于第1半导体晶片长边之一方附近,上述第1 绝缘性薄膜之第2部分,系位于上述多数接合导线 所连接领域之上述第1分支引线之下部, 上述第2绝缘性薄膜,于上述第2方向系分割,配置成 第1部分及第2部分,上述第2绝缘性薄膜之第1部分, 系配置于第2半导体晶片长边之一方附近,上述第2 绝缘性薄膜之第2部分,系位于上述多数接合导线 所连接领域之上述第2分支引线之下部。19.如申请 专利范围第15项之半导体装置,其中 上述第1及第2半导体晶片,其背面系藉上述第1及第 2分支引线之弹力互相接触。20.一种半导体装置, 其特征为具有: 各具主面及与上述主面面对之背面,上述背面互相 面对配置的第1半导体晶片及第2半导体晶片,于上 述主面形成有多数半导体元件及多数接合电极,具 上述主面具沿第1方向之一对长边及沿与上述第1 方向不同之第2方向的一对短边,上述多数接合电 极沿上述第1方向配置的第1半导体晶片及第2半导 体晶片; 封装上述第1及第2半导体晶片的树脂封装体; 具位于上述树脂封装体内之内引线及突出上述树 脂封装体外之外引线的第1引线,上述内引线横切 第1半导体晶片长边之一方,且配置于第1半导体晶 片主面上的第1引线; 具位于上述树脂封装体内之内引线及突出上述树 脂封装体外之外引线的第2引线,具于上述树脂封 装体内分支之第1分支引线及第2分支引线,而且上 述第2分支引线之一端横切第2半导体晶片长边之 另一方,配置于第2半导体晶片主面上的第2引线; 连接上述第1引线之内引线与第1半导体晶片对应 之接合电极的第1接合导线;及 连接上述第2引线之第2分支引线之一端与第2半导 体晶片对应之接合电极的第2接合导线; 上述第2引线之第2分支引线,系于上述树脂封装体 外,终止于上述第1分支引线之中途般形成较上述 第1分支引线短, 上述第2引线之第1分支引线,系与第1半导体晶片未 作电连接。21.如申请专利范围第20项之半导体装 置,其中 上述第1引线及第2引线之第1分支引线,系藉单一之 引线框架材形成,上述第2引线之第2分支引线,系藉 与上述单一引线框架材不同之引线框架材形成。 22.如申请专利范围第20项之半导体装置,其中 上述第2引线之第1分支引线,系终止于上述树脂封 装体内部,且终止于第1半导体晶片之外侧领域。23 .如申请专利范围第20项之半导体装置,其中 上述第1引线之内引线,系介由第1绝缘性接着薄膜 接着于第1半导体晶片主面上,上述第2引线之第2分 支引线,系介由第2绝缘性接着薄膜接着于第2半导 体晶片主面。24.一种半导体装置,其特征为具有: 各具主面及与上述主面面对之背面,上述背面互相 面对配置的第1半导体晶片及第2半导体晶片,于上 述主面形成有多数半导体元件及多数接合电极,具 上述主面具沿第1方向之一对长边及沿与上述第1 方向不同之第2方向的一对短边,上述多数接合电 极沿上述第1方向配置的第1半导体晶片及第2半导 体晶片; 封装上述第1及第2半导体晶片的树脂封装体; 各具位于上述树脂封装体内之内引线及突出树脂 封装体外之外引线的多数信号引线;及 具位于上述树脂封装体内之内引线及突出树脂封 装体外之外引线的电源引线; 上述多数引线之各个内引线,系分别具在上述树脂 封装体内分支的第1分支引线及第2分支引线; 上述第1分支引线,系横切第1半导体晶片长边之一 方,配置于第1半导体晶片主面上,上述第2分支引线 ,系横切第1半导体晶片之长边之一方,配置于第2半 导体晶片主面上; 上述第1分支引线,系介由第1绝缘性接着薄膜接着 于第1半导体晶片主面,上述第2分支引线则介由第2 绝缘性接着薄膜接着于第1半导体晶片主面; 上述电源引线之内引线,系具上述树脂封装体内分 支之第1分支引线及第2分支引线; 上述电源引线之第1分支引线,系横切第1半导体晶 片短边之一方,配置于第1半导体晶片主面上,上述 电源引线之第2分支引线,系横切第1半导体晶片之 短边之一方,配置于第2半导体晶片主面上; 上述电源引线之第1分支引线,系具在第1半导体晶 片主面上向上述第1方向延伸的第1部分; 上述电源引线之第2分支引线,系具在第2半导体晶 片主面上向上述第1方向延伸的第1部分; 上述电源引线之第1分支引线之第1部分,系配置于 上述多数信号引线之第1分支引线端部与第1半导 体晶片之多数接合电极之间; 上述电源引线之第2分支引线之第1部分,系配置于 上述多数信号引线之第2分支引线端部与第2半导 体晶片之多数接合电极之间; 上述多数信号引线之第1分支引线之端部,系藉由 跨越上述电源引线之第1分支引线之第1部分般形 成的多数第1接合导线,连接于第1半导体晶片之多 数接合电极; 上述多数信号引线之第2分支引线之端部,系藉由 跨越上述电源引线之第2分支引线之第2部分般形 成的多数第2接合导线,连接于第2半导体晶片之多 数接合电极; 上述电源引线之第1分支引线之第1部分,系与第1半 导体晶片主面呈分离配置; 上述电源引线之第2分支引线之第2部分,系与第2半 导体晶片主面呈分离配置。25.如申请专利范围第 24项之半导体装置,其中 在上述电源引线之第1分支引线之第1部分与第1半 导体晶片主面之间,及在上述电源引线之第2分支 引线之第1部分与第2半导体晶片主面之间,形成有 上述树脂封装体之一部分。26.如申请专利范围第 25项之半导体装置,其中 上述电源引线之第1分支引线之第1部分及多数信 号引线之第1分支引线之端部,于第1半导体晶片之 厚度方向,系配置于由第1半导体晶片主面起略同 一高度; 上述电源引线之第2分支引线之第1部分及多数信 号引线之第2分支引线之端部,于第2半导体晶片之 厚度方向,系配置于由第2半导体晶片主面起略同 一高度。图式简单说明: 图1:本发明实施形态1之半导体装置之除去树脂封 装体之上部之状态之平面图。 图2:上述半导体装置之除去树脂封装体之下部之 状态之底面图。 图3:图1之沿A-A线切断之断面图。 图4:上述半导体装置之制程所用引线框架之平面 图。 图5:上述半导体装置之制程所用引线框架之平面 图。 图6A-6B:上述半导体装置制造方法说明用之断面图 。 图7:上述半导体装置制造方法说明用之重要部分 断面图。 图8:上述半导体装置之制造方法说明重要部分斜 视图。 图9:实装有上述半导体装置之电子装置之平面图 。 图10:本发明实施形态1之变形例之半导体装置之断 面图。 图11:本发明实施形态2之半导体装置之除去树脂封 装体之上部之状态之平面图。 图12:上述半导体装置之除去树脂封装体之下部之 状态之底面图。 图13:沿图11之B-B线切断之断面图。 图14:上述半导体装置之制程所用引线框架之平面 图。 图15:上述半导体装置之制程所用引线框架之平面 图。 图16:本发明实施形态3之半导体装置之断面图。 图17:上述半导体装置之重要部分斜视图。 图18:上述半导体装置之制程所用引线框架之重要 部分平面图。 图19:上述半导体装置之制程所用引线框架之重要 部分平面图。 图20:本发明实施形态4之半导体装置之除去树脂封 装体之上部之状态之平面图。 图21:上述半导体装置之除去树脂封装体之下部之 状态之底面图。 图22:沿图20之C-C线切断之断面图。 图23:沿图20之D-D线切断之断面图。 图24:上述半导体装置之方块图。 图25:本发明实施形态4之变形例之半导体装置之方 块图。 图26:本发明实施形态4之变形例之半导体装置之断 面图。 图27:本发明实施形态5之电子装置之平面图。 图28:上述电子装置之断面图。 |
