| 主权项 |
2.如申请专利范围第1项之方法,另外包括下列步骤 : e)提供与第一介质下同之第二含水液体介质,该第 二介质系硷性, f)使自步骤d)所产生之氧化物层与第二含水液体介 质及与抛光构件接触,该抛光构件含有经固定在其 中之磨料组份, g)维持步骤f)之接触同时提供基体与抛光构件间之 移动,因此氧化物层之深度变得减小。3.如申请专 利范围第2项之方法,其中氧化物层含有具有至少 大约2000-的高度微差之至少一个外形上不均匀特 征。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该特征具 有至少大约4000-之高度微差。5.如申请专利范围第 2项之方法,其中氧化物是含矽之氧化物。6.如申请 专利范围第3项之方法,其中基体含有许多外形之 氧化物特征。7.如申请专利范围第1项之方法,其中 第一液体介质含有至少大约0.001重量%的阳离子型 界面活性剂。8.如申请专利范围第1项之方法,其中 第一液体介质含有至少大约0.003重量%的阳离子型 界面活性剂。9.如申请专利范围第1项之方法,其中 第一液体介质含有大约0.003至0.010重量%的阳离子 型界面活性剂。10.如申请专利范围第1项之方法, 其中第一液体介质是硷性。11.如申请专利范围第1 项之方法,其中第一液体介质具有至少大约10之pH 値。12.如申请专利范围第2项之方法,其中第二液 体较第一液体含有较少之阳离子型界面活性剂。 13.如申请专利范围第2项之方法,其中第二液体大 体上不含阳离子型界面活性剂。14.如申请专利范 围第2项之方法,其中第二液体具有至少大约10之pH 値。15.如申请专利范围第14项之方法,其中第二液 体具有大约10至12之pH値。16.如申请专利范围第1项 之方法,其中阳离子型界面活性剂系选自下列所构 成之族群:烷基三甲铵化合物、烷基基铵化合物 、烷基啶化合物、烷基铵化合物或其混合物 其中烷基是C6-C18烷基。17.如申请专利范围第2项之 方法,其中步骤c)和f)中所使用之抛光构件包含经 固定在黏合剂介质中之颗粒磨料材料。18.如申请 专利范围第2项之方法,其中抛光系在步骤(g)中予 以实施至显露至少一部份的基体上之下面的材料 层。19.如申请专利范围第18项之方法,其中下面层 包含一种氮化物材料。图式简单说明: 第1图显示基体上欲予平面化之介电隔离层的示意 截面图,该层具有高度微差在各部份间。 第2图显示在使高度微差成齐平后,与第1图中介电 隔离层的示意截面图。 第3图显示在更进一步减低高度而显现停止层后, 第2图中介电隔离层的示意截面图。 |
