| 主权项 |
1.一种形成一铟锡氧化物膜之方法,包含步骤: 准备一非晶系铟锡氧化物膜于一基质上; 直接提供一负化学增强光敏材料于该非晶系铟锡 氧化物膜上,且曝光及显影该负化学增强光敏材料 以形成一该负化学增强光阻的图案;以及 以该作为一罩幕之图案处理该非晶系铟锡氧化物 膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该处理该 非晶系铟锡氧化物膜之步骤包含一去除未被该图 案所覆盖之非晶系铟锡氧化物膜部分之步骤。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该去除该非晶 系铟锡氧化物膜之步骤包含一将未被该图案所覆 盖之非晶系铟锡氧化物膜部分与选自乙二酸、磷 酸及硫酸群组之酸接触的步骤。4.如申请专利范 围第1项之方法,该方法更包含一去除该图案之步 骤。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法, 该方法更包含一加热该非晶系铟锡氧化物膜以微 晶化该非晶系铟锡氧化物膜之步骤。6.如申请专 利范围第1项之方法,其中该负化学增强光敏材料 包含酚的酚醛树脂、甲基(methylol)三聚氰胺以及一 光酸产生者。7.如申请专利范围第6项之方法,其中 该光酸产生体系三氮。8.一种形成一透明氧化 物导电膜之方法,包含步骤: 准备一该氧化物的非晶系膜于一基质上; 直接提供一负化学增强光敏材料于该非晶系膜上, 且曝光及显影该负化学增强光敏材料以形成一图 案;以及 以作为一罩幕之该图案处理该非晶系膜。9.如申 请专利范围第8项之方法,该方法更包含一加热该 非晶系膜以微晶化该非晶系膜之步骤。10.如申请 专利范围第8或9项之方法,其中该氧化物包含铟锡 氧化物。11.一种检视一位于一基质上光阻图案的 方法, 其特征在于该基质有一非晶系铟锡氧化物膜;该光 阻图案包含一负化学增强光敏材料,该光阻图案系 直接被提供于该非晶系铟锡氧化物膜上;该负化学 增强光敏材料包含一光酸产生者;以及该检视系在 一包含一该光酸产生者之吸收光谱的光源下进行 。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该光源包 括一具有一波长为380nm或以下的光谱。13.一种制 造具有一铟锡氧化物膜之平面显示器的方法,包含 步骤: 沉积一非晶系铟锡氧化物膜于一基质上; 直接提供一负化学增强光敏材料于该非晶系铟锡 氧化物膜上,且曝光及显影该负化学增强光敏材料 以形成一图案; 去除未被该图案所覆盖之非晶系铟锡氧化物膜部 分; 去除该图案;以及 加热该非晶系铟锡氧化物膜以微晶化该非晶系铟 锡氧化物膜。14.如申请专利范围第13项之方法,该 方法更包含一显影后于一包含一具有波长380nm或 以下光谱之光源下检视该基质之步骤。15.如申请 专利范围第13项之方法,其中该基质具有一金属特 征于其上。16.如申请专利范围第13或15项之方法, 其中该去除该非晶系铟锡氧化物之步骤包括一将 该未被该图案所覆盖之非晶系铟锡氧化物膜部分 与选自乙二酸、磷酸及硫酸群组之酸接触的步骤 。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该负化学 增强光敏材料包含酚的酚醛树脂,甲基醇(methylol) 三聚氰胺以及一光酸产生者。18.如申请专利范围 第17项之方法,其中该光酸产生者系三氮。图式 简单说明: 图1系一图解显示习知之透明导电膜图案化的方法 ;以及 图2系一图解显示根据本发明之透明导电膜图案化 的方法; |
