Abstimmbarer Halbleiterlaser auf einem Substrat (2) mit einem ersten Kontakt (14) auf der Oberseite und einem dritten Kontakt (16) auf der Unterseite für Zuführung des durch eine Sperrschicht (4) auf einen laseraktiven Streifen lateral begrenzten Betriebsstroms und mit einem zweiten Kontakt (15) auf einem Stegwellenleiter (11,12,13) zur Ladungsträgerinjektion in eine oberhalb oder unterhalb einer aktiven Schicht (6) angeordnete und von dieser durch eine hochdotierte Zentralschicht (10) getrennte Abstimmschicht (9).
申请公布号
EP0383958(A1)
申请公布日期
1990.08.29
申请号
EP19890102596
申请日期
1989.02.15
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
AMANN, MARKUS-CHRISTIAN, DR.-ING.;BAUMANN, GERHARD G., DR.RER.NAT.;HEINEN, JOCHEN, DR.-ING.;THULKE, WOLFGANG, DR. RER. NAT.
