| 主权项 |
1.一种半导体晶圆保护方法,包括将半导体晶圆用 之表面保护黏着薄膜黏着至半导体晶圆之电路形 成表面之第一步骤,加工半导体晶圆之非电路形成 表面之第二步骤,及将晶粒黏合用之黏合薄膜黏着 至半导体晶圆之非电路形成表面之第三步骤,其特 征在于该第三步骤系未将半导体晶圆用之表面保 护黏着薄膜剥离而进行,及使用将具有在150℃下至 少1105帕斯卡(Pa)之储能弹性模数及3至100微米厚度 之黏着层形成于至少一层系由具有200℃以上熔点 之树脂制成之基材薄膜之一表面上之半导体晶圆 用之表面保护黏着薄膜。2.如申请专利范围第1项 之半导体晶圆保护方法,其中,该第二步骤包含选 自包括背面研磨步骤、湿式蚀刻步骤及抛光步骤 之至少一步骤。3.如申请专利范围第1项之半导体 晶圆保护方法,其中,在第二步骤后之半导体晶圆 的厚度系为200微米以下。4.如申请专利范围第1项 之半导体晶圆保护方法,其中,该具有200℃以上熔 点之树脂系选自包括聚酯、聚醯亚胺、聚醚醚酮 及聚醚之至少一树脂。5.如申请专利范围第1项 之半导体晶圆保护方法,其中,该由具有200℃以上 熔点之树脂制成之基材薄膜层之厚度系为10至300 微米。6.一种可适当地使用于制造薄半导体晶圆 之半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜,其中将具有 在150℃下至少1105帕斯卡之储能弹性模数及3至100 微米厚度之黏着层形成于至少一层系由具有200℃ 以上熔点之树脂所制成,且具有50至350微米厚度之 基材薄膜之一表面上。7.如申请专利范围第6项之 半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜,其中,该由具 有200℃以上熔点之树脂制成之基材薄膜层之厚度 系为10至300微米。8.如申请专利范围第6项之半导 体晶圆用之表面保护黏着薄膜,其中,该由具200℃ 以上熔点之树脂制成之基材薄膜层之储能弹性模 数[(G)MPa]及厚度[(D)微米]之比在0至100℃下满足由 以下方程式(1)所表示之关系,及在100至300℃下满足 由以下方程式(2)所表示之关系 3≦G/D≦10,000 …(1) 0.03≦G/D≦1,000 …(2)。 |
