制造快闪记忆体单元之方法

摘要

一种用来制造快闪记忆体单元之方法，其离子布植法于清洗法之前执行，用以蚀刻渠沟绝缘膜之突出部成一乳头状。因此，沿着渠沟绝缘膜，除了部份壕沟之外，其余之蚀刻率增加。所以，可防止渠沟绝缘膜中壕沟的产生及可最佳化浮动闸极之间隔。