制造半导体装置之方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体装置之方法，包含于一半导体基板上形成之复数个不同半导体构件，其具有用以制造半导体装置之电晶体；一在所有上部上形成之内层隔离膜；以及一在该内层隔离膜中形成之电洞捕捉处，以避免移动离子如H或湿气穿透，藉以避免在电压差(Vgs)低于临限电压处之漏电流异常增加。