| 发明名称 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0337823(A3) |
申请公布日期 |
1990.08.22 |
| 申请号 |
EP19890303798 |
申请日期 |
1989.04.17 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
SHIRAI, KOJI INTELLECTUAL PROPERTY DIVISION |
| 分类号 |
H01L27/088;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L29/08;H01L29/52 |
主分类号 |
H01L27/088 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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