| 主权项 |
1.制造一种细微图案厚膜导体结构之方法,其步骤包括有:a)在异于岸区之区域形成一阻体于薄金属板上,且以该薄金属板为阴极而电镀该岸区,以形成电路密度不少于3线/mm而膜厚为15-200m之导体;b)把该电镀薄金属板接合到一绝缘基座上,而以薄金属板边朝上;且c)刻蚀掉该薄金属板;其中,电镀到该薄金属板阴极电流密度乃是介于0.05和2/dm2之间,一直到膜厚达0.3-10m为止,且其后增加阴极电流密度到3-5OA/dm2,一直到总膜厚达到15-200m为止。2.依照请求专利部份第1.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中所述的被电镀之薄金属板乃被接合到绝缘基座的两边而以薄金属板边朝上,使得该板之导体图案相互面对面。3.依照请求专利部份第1.或2.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,更进一步包括在该薄金属板已被刻蚀后电镀该曝露导体之步骤以形成具有厚度为15-200m之导体层,由此可得到相当厚之导体,而不会加厚被电镀之导体的厚度。4.依照请求专利部份第2.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其还包括的步骤为在该绝缘基座两边上之该薄金属板已被刻蚀后,将该绝缘基座上导体图案之通孔连接区钻通孔,且电镀被曝露之导体,以在其上形成一厚15-200m之导体层。5.依照请求专利部份第4.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该薄金属板在刻蚀后,电镀该曝露导体的电路中之阴极电流密度是介于3和5OA/dm2之间。6.依照请求专利部份第1.,2.,4.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该薄金属膜是选自具有厚度为1-500m之铝、锡和锌。7.依照请求专利部份第1.、2.或4.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该导体是铜。8.依照请求专利部份第1.、2.或4.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该绝缘基座是厚度为5-200m之聚合体膜。9.依照请求专利部份第3.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中在刻蚀该薄金属板后电镀被曝露之阴极电流密度乃介于3到5OA/dm2,之间。l0.依照请求专利部份第3.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该薄金属膜是选自厚度为1-500m之铝、锡和锌。11.依照请求专利部份第3.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该导体是铜。12.依照请求专利部份第3.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该绝缘基座是具有厚度为5-200m之聚合体膜。13.依照请求专利部份第5.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该薄金属膜是选自具有厚度为1-500m之铝、锡和锌。14.依照请求专利部份第5.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该导体是铜。15.依照请求专利部份第6.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中该导体是铜。16.一制造细微图案厚膜印刷电路板之方法,包括下列步骤:a)在异于岸区之区域上形成一阻体于一薄金属板上;b)在0.05-2A/dm2,之电流密度下电镀该薄金属板到厚度为0.3-lOm。c)在3-20A/dm2之电流密度下电镀该薄金属板到所要厚膜,以在该岸区上形成导体;d)移去该薄金属板异于岸区之区域或所有区域。17.依照请求专利部份第16.项之制造细微图案厚膜印刷电路板之方法,其中电镀之膜厚对线与线间隙之比値在阴极电流密度不小于3A/dm2的情况下为不小于1.4。18.依照请求专利部份第16.项之制造细微图案厚膜印刷电路板之方法,其中在步骤(a)到(c)之后步骤(d)之前更进一步包括把该薄金属板接合到一绝缘基座上之步骤。19.依照请求专利部份第1.项之制造细微图案厚膜导体结构之方法,其中电镀膜厚对线到线间隙之比値在阴极电流密度不小于3A/dm2的情况下为不小于1.4。 |
