| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法包括形成用于涂覆单元区域的键开口掩模，以移除在栅极形成工艺中在重叠光标尺区域之上形成的栅极多晶硅层，并且在调节蚀刻工艺时移除该重叠光标尺区域的栅极多晶硅层，使得该重叠光标尺区域具有优异的形状。 | ||
| 申请公布号 | CN101026095A | 申请公布日期 | 2007.08.29 |
| 申请号 | CN200610101962.1 | 申请日期 | 2006.07.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金承范;南基元 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括：蚀刻半导体衬底以形成凹形栅极区域以及重叠光标尺；在该半导体衬底的该凹形栅极区域以及该重叠光标尺之上形成栅极氧化膜；形成填入该凹形栅极区域以及该重叠光标尺的多晶硅层；移除形成在该重叠光标尺之上的多晶硅层的第一部分，其中设置在该凹形栅极区域之上的多晶硅层的第二部分余留在该凹形栅极区域之上；在该重叠光标尺以及设置在该凹形栅极区域之上的多晶硅层的第二部分之上沉积栅极导电层；以及利用该重叠光标尺来对准栅极掩模以蚀刻该栅极导电层以形成栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||