Transistorised hyperfrequency sample and hold circuit.

摘要

L'invention concerne un échantillonneur-bloqueur hyperfréquence (1 GHz) comportant un transistor à effet de champ, sur lequel est appliqué un signal d'entrée, et une capacité mémoire. Le transistor (6) est en matériaux du groupe III-V, tels que GaAs ou InP, et sa région de canal est commandée par une commande optique composée d'une fibre optique (8) et d'un laser semiconducteur (9) pulsé. En vue de diminuer le temps de basculement du transistor (6), celui-ci et le laser (9) sont tous deux polarisés en des points proches de leurs seuils. Application en traitement de signal, à des fréquences de l'ordre de 1 GHz.