| 发明名称 |
用于由下而上间隙充填的介电质沈积与回蚀处理 |
| 摘要 |
本发明揭示用于减少介电层中薄膜破裂的方法。该等方法可包含沉积一第一介电薄膜在一基材上以及蚀刻第一介电薄膜以移除第一介电薄膜之顶部的步骤。该等方法亦可包括沉积一第二介电薄膜在已蚀刻的第一介电薄膜上，以及移除第二介电薄膜的顶部。此外，该等方法可包括退火第一与第二介电薄膜以形成介电层，其中移除第一与第二介电薄膜之顶部能减少介电层中的应力。 |
| 申请公布号 |
TW200814190 |
申请公布日期 |
2008.03.16 |
| 申请号 |
TW096122588 |
申请日期 |
2007.06.22 |
| 申请人 |
应用材料股份有限公司 |
发明人 |
露波默斯德米;奈马尼史林尼法斯D NEMANI, SRINIVAS D.;叶怡利 |
| 分类号 |
H01L21/31(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
