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发明名称
SELECTIVE VAPOR-PHASE EPITAXY OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号
JPH02203517(A)
申请公布日期
1990.08.13
申请号
JP19890020789
申请日期
1989.02.01
申请人
NEC CORP
发明人
SUNAKAWA HARUO
分类号
H01L21/205;(IPC1-7):H01L21/205
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
主权项
地址
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