| 摘要 |
Способ определения температуры появления туннельного эффекта в диэлектриках и электроизоляционных материалах, заключающийся в том, что для исследуемого материала измеряют термостимулированные токи деполяризации (ТСТД) и энергию активации, отличающийся тем, что исследуют не только максимумы ТСТД, по которым доказывается существование туннельного эффекта в данном материале и определяется энергия активации, но также максимумы спектра tg(f,Т), а температуру появления туннельного эффекта определяют по температуре, при которой прекращается смещение максимумов спектра tg(f,Т) к низким частотам при изменении температуры материала, осуществляемый на устройстве для исследования физико-химических параметров полупроводников и диэлектриков. |
