Process of amorphisation to structure semiconductor body.

摘要

Das erfindungsgemäße Amorphisierungsverfahren findet Verwendung bei der Strukturierung und Isolierung von Halbleiterbauelementen in einer insbesondere aus ein- und polykristallinen Bereichen bestehenden Schichtenfolge. Durch Hochdosenimplantation werden in der Schichtenfolge amorphe, hochohmige Zonen erzeugt, die sowohl in der Halbleiterschichtenfolge ausgebildete Bauelemente voneinander elektrisch isolieren als auch zur Strukturierung von Leiterbahnen verwendet werden.